Accumulated dose stability parameters in p-type and n-type silicon diodes. Braz. J. Radiat. Sci. [Internet]. 12 de febrero de 2025 [citado 18 de julio de 2025];12(4A (Suppl.):e2601. Disponible en: https://bjrs.org.br/revista/index.php/REVISTA/article/view/2601