Parâmetros de estabilidade de dose acumulada em diodos de silício tipo p e tipo n. Braz. J. Radiat. Sci. [Internet]. 12º de fevereiro de 2025 [citado 17º de julho de 2025];12(4A (Suppl.):e2601. Disponível em: https://bjrs.org.br/revista/index.php/REVISTA/article/view/2601