Measurement of the insensitive surface layer thickness of a PIN photodiode based on alpha-particle spectrometry

Autores

  • Josemary A. C. Gonçalves Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares image/svg+xml
  • Carmen Cecília Bueno Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares image/svg+xml
  • Fabio de Camargo Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares image/svg+xml
  • Kelly Pascoalino Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares image/svg+xml

DOI:

https://doi.org/10.15392/2319-0612.2022.1789

Palavras-chave:

Espectrometria Alfa, Diodo de Si, Fotodiodo PIN

Resumo

Neste trabalho, a espessura da camada insensível de um fotodiodo PIN (SFH206K - Osram) foi medida variando o ângulo de incidência de um feixe colimado de partículas alfa monoenergéticas. Essa técnica se baseia no fato de que, exceto pelas incertezas intrínsecas da emissão e dispersão das partículas alfa, suas trajetórias em diferentes ângulos de incidência são distintas, sendo que as menores correspondem à incidência perpendicular à superfície do detector. O resultado obtido (711 ± 23) nm, inferior a 1% da espessura da camada intrínseca, além de validar o método empregado, demonstra que o diodo aqui investigado é adequado para espectrometria de partículas carregadas de alta resolução.

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Referências

GOODA, P. H., GILBOY, W. B. High resolution alpha spectroscopy with low cost photodiodes. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. v. 255, p. 222–224, 1987.

BUENO, C. C., GONCALVES, J. A. C., SANTOS, M. D. DE S. The performance of low-cost commercial photodiodes for charged particle and X-ray spectrometry. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. v. 371, p. 460–464, 1996.

KHOURY, H. J., SCHELIN, H., SOBOLL, D., LUNELLI, N., BAPTISTA, C. Evaluation of comercial silicon diode for electron dosimetry. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. v. 580, p. 537–539, 2007.

GONCALVES, J. A. C., MANGIAROTTI, A., BUENO, C. C. Current response stability of a commercial PIN photodiode for low dose radiation processing applications. Radiat. Phys. Chem. v. 167, p. 108276, 2020.

MALAFRONTE, A. A., PETRI, A. R., GONÇALVES, J. A. C., BARROS, S. F., BUENO, C. C., MAIDANA, N. L., MANGIAROTTI, A., MARTINS, M. N., QUIVY, A. A., VANIN, V. R. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiat. Phys. Chem. v. 179 p. 109103-109113, 2021.

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Publicado

04-12-2022

Edição

Seção

INAC 2021_XV ENAN

Como Citar

Measurement of the insensitive surface layer thickness of a PIN photodiode based on alpha-particle spectrometry . Brazilian Journal of Radiation Sciences, Rio de Janeiro, Brazil, v. 10, n. 3B (Suppl.), 2022. DOI: 10.15392/2319-0612.2022.1789. Disponível em: https://bjrs.org.br/revista/index.php/REVISTA/article/view/1789. Acesso em: 17 jul. 2025.